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High-mobility two-dimensional hole gases in III-V semiconductor heterostructures: growth and transport properties

Marika Hirmer
Kartonierter Einband, 144 Seiten
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In this work, we investigated very high quality carbon-doped two-dimensional hole gases (2DHGs). The first part deal with high-mob...

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Beschreibung

In this work, we investigated very high quality carbon-doped two-dimensional hole gases (2DHGs). The first part deal with high-mobility GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs). Optimizing the heterostructure design, the hole mobility was extremely increased. Quantum Hall effect, photoconductivity effect, Rashba spin splitting, fractional quantum Hall effect (revealing interesting anisotropy in the thermally activated transport) and the band structure were investigated. In the second part, we studied InAs/InGaAs/InAlAs QWs with high spin-orbit coupling. A great success was the preparation of a carbon p-type doping in QWs with high indium content. A conductivity type inversion from p- to n-type with changing composition was observed. The heterostructures exhibit weak-antilocalization, hole-hole interaction effect and strong transport anisotropy. The spin splitting can be engineered providing small changes in the structure design. Both topics are of major interest for spintronics research.

Produktinformationen

Titel:
High-mobility two-dimensional hole gases in III-V semiconductor heterostructures: growth and transport properties
Untertitel:
Dissertationsreihe Physik 29
Autor:
Marika Hirmer
EAN:
9783868450958
ISBN:
978-3-86845-095-8
Format:
Kartonierter Einband
Hersteller:
Universitätsverlag Regensburg
Herausgeber:
Universitaetsvlg. Regensb
Genre:
Theoretische Physik
Veröffentlichung:
28.02.2013
Anzahl Seiten:
144
Gewicht:
380g
Größe:
H244mm x B174mm x T12mm
Jahr:
2013
Untertitel:
Deutsch

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