Einfluss von Materialdefekten in monokristallinem Silicium in der industriellen Solarzellenfertigung

In dieser Dissertation wurden Silicium-Feedstockmaterialien aus alternativen Aufreinigungsrouten, wie FBR und UMG, auf ihre Eignung als Material für monokristalline Solarzellen untersucht. Darüber hinaus wurden noch Methoden zur Bestimmung des dotierstoffabhängigen spezifischen Basiswiderstandes an as-cut Czochralski Wafern und zur Bestimmung der Dotierstoffkonzentration entlang kompensierter (UMG) Siliciumkristalle aus positionsabhängigen Basiswiderstandsmessungen entwickelt.

In der Dissertation "Einfluss von Materialdefekten in monokristallinem Silicium in der industriellen Solarzellenfertigung" wurden Silicium-Feedstockmaterialien aus alternativen Aufreinigungsrouten, wie Fluidized-Bed-Reactor und Upgraded Metallurgical Grade, auf ihre Eignung als Material für monokristalline Solarzellen untersucht. Der Fokus dieser Untersuchung in diesen Materialien lag auf spezifischen Materialdefekten von monokristallinem Silicium, wie z.B. dem Bor-Sauerstoff-Komplex. Darüber hinaus wurden noch Methoden zur Bestimmung des dotierstoffabhängigen spezifischen Basiswiderstandes an as-cut Czochralski Wafern und zur Bestimmung der Dotierstoffkonzentration entlang kompensierter (UMG) Siliciumkristalle aus positionsabhängigen Basiswiderstandsmessungen entwickelt.

Klappentext

In der Dissertation "Einfluss von Materialdefekten in monokristallinem Silicium in der industriellen Solarzellenfertigung" wurden Silicium-Feedstockmaterialien aus alternativen Aufreinigungsrouten, wie Fluidized-Bed-Reactor und Upgraded Metallurgical Grade, auf ihre Eignung als Material für monokristalline Solarzellen untersucht. Der Fokus dieser Untersuchung in diesen Materialien lag auf spezifischen Materialdefekten von monokristallinem Silicium, wie z.B. dem Bor-Sauerstoff-Komplex. Darüber hinaus wurden noch Methoden zur Bestimmung des dotierstoffabhängigen spezifischen Basiswiderstandes an as-cut Czochralski Wafern und zur Bestimmung der Dotierstoffkonzentration entlang kompensierter (UMG) Siliciumkristalle aus positionsabhängigen Basiswiderstandsmessungen entwickelt.