Chemisches Gasphasenätzen und laterales epitaktisches Überwachsen für kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen

Kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen, welche auf dem Ansatz des epitaktischen Waferäquivalents beruhen, vereinen Vorteile Wafer-basierter Silicium-Solarzellen und der Dünnschichttechnologie. In dieser Arbeit werden Gasphasenätzprozesse betrachtet, welche die Herstellung der epitaktischen Waferäquivalente vereinfachen. Der Prozess des lateralen epitaktischen Überwachsens wird untersucht, um eine verbesserte Optik und Effizienz zu erreichen.

Klappentext

Kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen, welche auf dem Ansatz des epitaktischen Waferäquivalents beruhen, vereinen Vorteile Wafer-basierter Silicium-Solarzellen und der Dünnschichttechnologie. In dieser Arbeit werden Gasphasenätzprozesse betrachtet, welche die Herstellung der epitaktischen Waferäquivalente vereinfachen. Der Prozess des lateralen epitaktischen Überwachsens wird untersucht, um eine verbesserte Optik und Effizienz zu erreichen.