Le développement des technologies optoélectroniques repose sur la maîtrise des propriétés des matériaux semi-conducteurs et l'ingénierie des hétérostructures. Les alliages III-V, en particulier In Al As, offrent une grande flexibilité d'ingénierie de bande, mais leur intégration sur GaAs soulève des enjeux liés aux contraintes épitaxiales. Cet ouvrage analyse la maîtrise de ces contraintes dans les hétérostructures In Al As/GaAs à travers une approche combinant modélisation théorique et caractérisations optiques, notamment par photoluminescence et spectroscopie Raman. Il s'inscrit dans une perspective fondamentale et applicative, visant l'optimisation de dispositifs optoélectroniques à haute performance.

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Nejmeddine Yahyaoui est docteur en physique, spécialisé dans les semi-conducteurs III-V, l'ingénierie des hétérostructures épitaxiées et la caractérisation optique des matériaux avancés, avec un intérêt particulier pour les dispositifs optoélectroniques et photovoltaïques.