Widerstandsphotozellen, oder kurz Photowiderstände sind Photozellen, die unter Belichtung ihren inneren Widerstand reversibel verändern; die Än derung der Leitfähigkeit ist dann ein Maß für die Intensität der auffal lenden Strahlung. Einen solchen Effekt, den inneren lichtelektrischen Effekt, zeigen eine ganze Reihe von Substanzen; eine technische Anwen dung haben aber bisher nur sehr wenige gefunden, wie Selen, Thallium Sulfid, Bleisulfid und -selenid und neuerdings das Cadmium-Sulfid (1). Photowiderstände zeichnen sich einmal durch sehr hohe Photoströme, zum anderen durch eine verhältnismäßig weit ins Rote vorgeschobene langweI lige Grenze der Empfindlichkeit aus. Die Quantenausbeute, d.h. die Zahl der Elektronen, die pro absorbiertes Lichtquant an der Leitung teilneh men, kann 1 beträchtlich überschreiten und beim CdS beispielsweise Werte 5 von 10 und darüber erreichen, während Photokathoden bestenfalls 4-5 Elek tronen pro hundert absorbierte Quanten emittieren. Infolgedessen erhält man sehr hohe Ströme und kann deshalb häufig besondere Verstärkereinrich tungen und umständliche Abschirmungen ersparen und größere Leistungen di rekt aussteuern. Die langweIlige Grenze der Empfindlichkeit läßt sich bis zu einigen ~ ins Ultrarote vorschieben, also in ein Gebiet, in dem alle übrigen Empfänger außer den sehr unempfindlichen und trägen Thermo elementen und Bolometern versagen. Diesen Vorteilen stehen indessen eine Reihe schwerwiegender Nachteile gegenüber, die bislang, vor allem in Deutschland, eine technische An wendung in großem Maßstab verhindert haben.

Inhalt
Gliederung.- I. Einleitung.- II. Der Metall-Halbleiter-Kontakt.- Herstellung nichtgleichrichtender Kontakte.- III. Meßergebnisse.- 1. Die Strom-Spannungs-Kennlinie.- 2. Dimensionierung der Elektroden.- 3. Die Strom-Intensitäts-Kennlinie.- 4. Messung der Strom-Intensitäts-Charakteristik.- 5. Trägheit.- 6. Signal- zu Rauschverhältnis.- 7. Alterungsbeständigkeit.- IV. Vergleich mit anderen Zellen.- Zusammenfassung.