Ätzen von Titannitrid mit Halogenverbindungen

Mit zunehmender Miniaturisierung mikroelektronischer Bauelemente steigen die Anforderungen an reproduzierbare qualititätskonforme Schichten. Um die zur herstellung notwendigen ALD/PVD/CVD-Schichtabscheideanlagen in einen zuverlässigen Zustand zu versetzen, ist eine regelmäßige Kammerreinigung notwendig.Im vorliegenden Buch wird am Beispiel der Remote Plasma Source (RPS)-Kammerreinigung von TiN-Abscheideanlagen ein systematischer Ansatz zur Untersuchung der relevanten Parameter vorgestellt. Mit den Meßmethoden QMS, FTIR, OES, XPS, Interferometrie werden die Besonderheiten von Fluor/Chlor-Interhalogenmischungen gezeigt und die zugrunde liegenden Mechanismen beschrieben. Eine effektive Methode zur TiN-Kammerreinigung bei niedrigen Temperaturen und niedrigen Drücken wird vorgeschlagen.Erstmalig wurde die Verwendung von molekularem Fluor mit RPS-Plasma als Kammerreinigungsgas untersucht und die Ätz-Effektivität mit der des NF3 verglichen. Die Anwendung von Fluor in Trägergas für Reinigungsprozesse in der Mikroelektronik oder Photovoltaik stellt sich vorteilhaft dar.

Autorentext

Der Autor forschte im Rahmen seiner Dissertation an der Optimierung von ALD/PVD/CVD-Prozessen bei der Qimonda Dresden OHG&Co KG unter Unterstützung durch die Labors des Instituts für Halbleiter- und Mikroelektronik (IHM) an der TU-Dresden bei Prof. Dr. rer. nat. Bartha.