Oszillator

Quelle: Wikipedia. Seiten: 52. Kapitel: Oszillatorschaltung, Tunneldiode, Keramikresonator, IMPATT-Diode, Multivibrator, Phasenschieber, Quarzoszillator, Meißner-Schaltung, Sinus-Oszillator, Gütefaktor, Wobbelgenerator, Quarzofen, Hartley-Schaltung, Spannungsgesteuerter Oszillator, Impulsgenerator, Low Frequency Oscillator, Kippschwingung, Kippschwinger, Pierce-Schaltung, Colpitts-Schaltung, Huth-Kühn-Schaltung, Rechteckgenerator, Gyrotron, Clapp-Schaltung, Funktionsgenerator, Backward-wave Oszillator, Sperrschwinger, Tonfrequenzgenerator, Lakhovsky-Antenne, Miller-Transitron, Gunndiode, Ringoszillator, Millereffekt-Oszillator, Signalgenerator, Waveform-Generator, Schwungradsynchronisation, Dreieck-Generator, Optisch parametrischer Oszillator, Miller-Integrator, Vackár-Oszillator, Dreipunktschaltung, Lokaler Oszillator, Leithäuser-Schaltung, Oszillatorstärke, Eichmarkengeber, HP200A, Heegner-Schaltung, Gegentakt-Oszillator, Frequenznormal, Taktgeber, Elektronengekoppelter Oszillator, Frequency Locked Loop, Franklin-Oszillator, Digitally Controlled Oscillator, Differenzverstärker-Oszillator, Variable Frequency Oscillator, Hertzscher Oszillator. Auszug: Keramikresonatoren bzw. piezokeramische Resonatoren sind elektronische Bauelemente aus Piezokeramik, einem ferroelektrischen Material. Sie nutzen den piezoelektrischen Effekt für Frequenz bestimmende oder Frequenz selektierende Anwendungen und werden ähnlich wie Schwingquarze eingesetzt, besitzen jedoch nicht deren Frequenzgenauigkeit und -stabilität. Keramikresonatoren weisen gegenüber Schwingquarzen kleinere Abmessungen und einen geringeren Bedarf an externen elektronischen Bauelementen auf, sind gegenüber mechanischen Belastungen robuster und außerdem erheblich preiswerter. Durch mechanische Kopplung von zwei und mehr Resonatoren lassen sich auch einfache elektrische Filter herstellen. DickenscherschwingerWerden bestimmte anisotrope Kristalle oder ferroelektrische keramischen Materialien mechanisch deformiert, so werden elektrische Ladungen auf ihrer Oberfläche erzeugt. Dieser piezoelektrische Effekt, die Piezoelektrizität, ist auch umkehrbar, das heißt, wird ein elektrisches Feld an dieses Material gelegt, so verformt es sich (inverser Piezoeffekt). Sobald das elektrische Feld nicht mehr anliegt, nimmt das Material seine ursprüngliche Form wieder an, wobei eine elektrische Spannung erzeugt wird. Die einmal durch Anlegen einer Spannung hervorgerufene mechanische Verformung am ferroelektrischen Material eines Keramikresonators erzeugt nach dem Ausschalten der Spannung ein elektrisches Signal. Mittels einer Rückkopplungsschaltung kann dieses Signal für die Erzeugung einer mechanischen Resonanzschwingung des Materials genutzt werden, wobei ein stabiles Taktsignal mit relativ genauer Frequenz und definierter Amplitude entsteht. Keramikresonatoren schwingen als Dickenscherschwinger über die Längsachse der Keramik. Für Frequenzen oberhalb von etwa 8 MHz wird die 3. Harmonische der Resonanz für die Taktgebung der Schaltung benutzt , Als Grundlage von Keramikresonatoren dienen Mischungen feingemahlener Granulate aus ferroelektrischen Marterialen. Häufig sind dies Gemisch

Klappentext

Quelle: Wikipedia. Seiten: 168. Nicht dargestellt. Kapitel: Oszillatorschaltung, Tunneldiode, IMPATT-Diode, Quarzoszillator, Phasenschieber, Multivibrator, Meißner-Schaltung, Sinus-Oszillator, Gütefaktor, Hartley-Schaltung, Spannungsgesteuerter Oszillator, Wobbelgenerator, Impulsgenerator, Kippschwingung, Low Frequency Oscillator, Huth-Kühn-Schaltung, Colpitts-Schaltung, Rechteckgenerator, Clapp-Schaltung, Gyrotron, Sperrschwinger, Backward-wave Oszillator, Funktionsgenerator, Tonfrequenzgenerator, Lakhovsky-Antenne, Miller-Transitron, Gunndiode, Kippschwinger, Ringoszillator, Millereffekt-Oszillator, Pierce-Schaltung, Waveform-Generator, Signalgenerator, Schwungradsynchronisation, Dreieck-Generator, Optisch parametrischer Oszillator, Miller-Integrator, Dreipunktschaltung, Leithäuser-Schaltung, Oszillatorstärke, Eichmarkengeber, Heegner-Schaltung, Lokaler Oszillator, Gegentakt-Oszillator, HP200A, Vackár-Oszillator, Taktgeber, Elektronengekoppelter Oszillator, Frequency Locked Loop, Digitally Controlled Oscillator, Differenzverstärker-Oszillator, Franklin-Oszillator, Variable Frequency Oscillator, Hertzscher Oszillator. Auszug: Die IMPATT-Diode ist ein Hochfrequenz-Halbleiter-Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im Deutschen wird sie Lawinen-Laufzeit-Diode (LLD) genannt. Die Hauptvertreter der IMPATT-Dioden-Familie sind die Read-Diode, der einseitig abrupte p-n-Übergang, die doppelseitige Doppeldriftdiode, hi-lo- und lo-hi-lo-Dioden und die p-i-n-Diode. Weitere Laufzeitdioden sind die BARITT-Diode, die DOVETT-Diode und die TRAPATT-Diode. Schematischer Querschnitt einer Read-Diode, Dotierprofil und Elektrisches Feld (der idealisierte Verlauf ist durch die gestrichelte Linie gekennzeichnet)Die IMPATT-Diode ist eine der leistungsfähigsten Halbleiterquellen der Mikrowellengeneration bis zu 100 GHz und damit eine der leistungsfähigsten Quellen für Mikrowellenenergie in der Festkörperphysik. Genutzt wird sie in mikroelektronischen Schaltungen, bei denen hochfrequente Energiequellen gebraucht werden. Das sind unter anderem Anwendungen in der Nachrichtentechnik, beispielsweise für Sender in der Millimeterwellenkommunikation wie zum Beispiel Radar für den zivilen Luft- und Bodengebrauch oder zur Steuerung von Raketen im militärischen Bereich und ähnliche Anwendungen. Vorteile der IMPATT-Dioden sind, dass sie günstig in der Herstellung sind, einen geringen Stromverbrauch haben, zuverlässig arbeiten, durchgehend hohe Wellenenergie liefern und wenig wiegen. Nachteilig ist das hohe Rauschen, die Empfindlichkeit des Elements unter Arbeitsbedingungen und die hohen Reaktanzen. Die Reaktanzen sind stark abhängig von der Oszillationsamplitude und müssen daher im Schaltungsentwurf mit sehr viel Bedacht berücksichtigt werden, damit es nicht zu Verstimmungen oder gar zum Durchbrennen der Diode kommt. IMPATT-Dioden entstehen durch den Einsatz von Stoßionisations- und Transitzeiteigenschaften der Elektronen in Halbleiterstrukturen zur Herstellung eines dynamis