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Elektrolumineszenz von Gate-gesteuerten Silizium und Siliziumkarbid Leistungstransistoren und ihre Nutzbarkeit in Anwendungen der Leistungselektronik

Jonathan Winkler
Kartonierter Einband
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In Analogie zu gewöhnlichen Leuchtdioden, können auch pn-Übergänge in gängigen Leistungshalbleiterbauelementen Licht emittieren. D...

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Beschreibung

In Analogie zu gewöhnlichen Leuchtdioden, können auch pn-Übergänge in gängigen Leistungshalbleiterbauelementen Licht emittieren. Diese Arbeit beinhaltet Studien über die Eigenschaften der Lichtemission von Silizium und Siliziumkarbid Leistungshalbleiterbauelementen mit Fokus auf Dioden, MOSFETs sowie IGBTs: Es wird gezeigt, wie die durch Injektion hervorgerufene Elektrolumineszenz von vorwärts betriebenen pnÜbergängen in der Leistungselektronik zur Strommessung, Totzeitregelung oder zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur genutzt werden kann.

Produktinformationen

Titel:
Elektrolumineszenz von Gate-gesteuerten Silizium und Siliziumkarbid Leistungstransistoren und ihre Nutzbarkeit in Anwendungen der Leistungselektronik
Untertitel:
Berichte aus der Elektronik
Autor:
Jonathan Winkler
EAN:
9783844081503
ISBN:
978-3-8440-8150-3
Format:
Kartonierter Einband
Hersteller:
Shaker
Genre:
Elektronik & Elektrotechnik
Veröffentlichung:
31.08.2021
Anzahl Seiten:
183
Jahr:
2021

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Tags

#Diode, #Elektrolumineszenz, #Igbt, #Leistungselektronik, #Leistungstransistor, #Lichtemission, #Mosfet, #Silizium Si, #Siliziumkarbid Sic

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