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Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren

Björn Albrecht
Kartonierter Einband
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AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässig...

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Beschreibung

AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.

Klappentext

AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.

Produktinformationen

Titel:
Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
Untertitel:
Science for systems 28
Autor:
Björn Albrecht
Editor:
Oliver Ambacher
EAN:
9783839611111
ISBN:
978-3-8396-1111-1
Format:
Kartonierter Einband
Hersteller:
Fraunhofer Verlag
Herausgeber:
Fraunhofer Verlag
Genre:
Wärme-, Energie- & Kraftwerktechnik
Veröffentlichung:
28.02.2017
Anzahl Seiten:
126
Gewicht:
195g
Größe:
H205mm x B144mm x T12mm
Jahr:
2017
Untertitel:
Deutsch

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Tags

#Applied Physics, #Forschungsingenieure, #Fraunhofer Iaf, #Gasphasenepitaxie, #Optical Physics, #Uv-Photodetektoren

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