Récemment, les transistors bipolaires de type pnp sur silicium, intrinsèquement moins performants que les transistors npn, ont connu un regain d'intérêt avec le développement des technologies BiCMOS complémentaires. Elles associent les transistors MOS avec les transistors bipolaires de type npn et pnp, permettant d'atteindre des performances supérieures aux technologies BiCMOS classiques qui utilisent uniquement des transistors bipolaires de type npn. De plus, en combinant cette technologie avec un substrat SOI mince au lieu d'un substrat massif, les caractéristiques des transistors MOS et des composants passifs s'en trouvent améliorées. Le travail présenté ici a pour objet la mise au point et l'étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur SOI mince performants, en vue de leur intégration dans une technologie BiCMOS SiGe complémentaire sur SOI mince.

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Julien DUVERNAY, docteur en physique, études en génie physique, spécialité Matériaux, Technologie et Composants de l'Electronique à l'INSA de Toulouse, chercheur post-doctoral à l'ESRF, Grenoble.