Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden

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Von:

Bernd Höfflinger

Beschreibung

Inhalt 1. Kurzfassung.- 2. Ausgangszielsetzung.- 3. Beschreibung der Teststrukturen.- 3.1 Layout.- 3.2 Technologie.- 4. Angewandte Meßverfahren.- 4.1 Methoden zur Bestimmung der Minoritätsträgerlebensdauer.- 4.2 Messung der Sperrströme.- 4.3 Messung der spektr...

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Beschreibung

Inhalt

Kurzfassung.- 2. Ausgangszielsetzung.- 3. Beschreibung der Teststrukturen.- 3.1 Layout.- 3.2 Technologie.- 4. Angewandte Meßverfahren.- 4.1 Methoden zur Bestimmung der Minoritätsträgerlebensdauer.- 4.2 Messung der Sperrströme.- 4.3 Messung der spektralen Empfindlichkeit.- 5. Einfluß der Optimierungsmöglichkeiten.- 5.1. Dicke des als Antireflexionsschicht benutzten Oxids.- 5.2. Vergleich verschiedener implantierter Profile.- 5.3 Einfluß von Gettertechniken.- 5.4 Layouteinfluß.- 6. Vergleich der Fotodioden in p-Kanal, n-Kanal und CMOS-Technologie.- 6.1 Spektrale Empfindlichkeit.- 6.2 Sperrströme.- 6.3 Schaltzeiten.- 7. Literaturverzeichnis.- 8. Bildanhang.