Der Zweck des Designs von SiNWFET unter Verwendung eines Dual-K-Spacers besteht darin, den SCE zu reduzieren und das On-Off-Stromverhältnis zu erhöhen. Das vorgeschlagene Gerät kombiniert effektiv verschiedene Mechanismen zur Verringerung des Subthreshold Swing (SS). Durch die Verwendung von Spacern und Schottky-Übergängen erhalten wir ein effizienteres System zur Verbesserung der Designmetriken wie elektrische Dichte, Potential und Widerstand des Geräts. Unsere Simulationsergebnisse zeigen, dass ein High- -Spacer zwar die Leistung des Bauelements wie ION, S/S verbessert, sodass sich die Leistung des Bauelements verbessert und die Verluste reduziert werden, aber bei den bestehenden SiNWFETs ist eine Verringerung der Dicke des Gateoxids keine gute Idee, da dies zu einer Verringerung des Ein-Aus-Stromverhältnisses führt, obwohl S/S weitgehend unbeeinträchtigt bleibt. Bei normalen FETs ohne Spacer ist der Aus-Strom hoch und der Kurzkanaleffekt erhöht. In den bestehenden Geräten ist der Ausschaltstrom höher und die Leistung ebenfalls reduziert. Die Überprüfung, Synthese und Durchführung der Literatur sind tatsächliche Messgrößen für eine Standard- oder Postgraduiertenarbeit zur Literaturrecherche. Eine gut organisierte und formulierte Überprüfung gibt den besten Einblick in den Beitrag und die Gestaltung einer guten Methodik.

Autorentext

N.S. Murti Sarma e Ch.Sathyanarayana são professores do Instituto Sreenidhi de Ciência e Tecnologia, Yamnampet de Medchal, no estado de Telangana. K.Sandhya rani foi investigadora de VLSI e sistemas incorporados. Todos os autores têm o crédito de várias publicações.