Nachdem sich der Band ·Optoelektronik I" mit der Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung durch Strominjektion in speziel len Halbleiterbauelementen befaBt hat, beschaftigen sich die beiden Folgebande "Optoelektronik II und III" umgekehrt mit de Umwandlung elektromagnetischer Strahlung bzw. energetischer Teilchen in elektrische Energie mit Halbleiterbauelementen. Die allgemein als Strahlungsempfanger bzw. -detektoren bezeich neten Bauelemente finden hauptsachlich Anwendung - beim Nachweis bzw. bei der Messung von elektromagnetischer Strahlung oder von Teilchen. Bei diesen Anwendungen wird ein moglichst hohes Signal-Gerausch-Verhaltnis angestrebt, d. h. die Em~findlichkeit dieser Bauelemente muB groB sein und der Beitrag der detektorspezifischen Rauschmechanismen muB minimiert werden; - bei der Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie in Photoelementen und Solarzellen, wo bei Solarzellen vornehmlich wirtschaftlichkeitsaspekte be rucksichtigt werden mussen. Dieses setzt eine Billigtechno logie bei moglichst hohem Zellenwirkungsgrad voraus, wobei letztlich die Gesamtkosten des Systems die entscheidende Rolle spielen; bei der Umwandlungeines sichtbaren oder IR-Bildes in elek trische Signale mittels ein- oder zweidimensionaler Anord nungen. Bei dies en Anwendungen spielt die Integrationsfa higkeit des verwendeten Halbleitermaterials eine groBe Rolle Die als Strahlungsempfanger bzw. -detektoren in Frage kommen den Halbleiterbauelemente sind Photodioden, Avalanchephotodi oden, Phototransistoren, Photoleiter, Halbleiterbildsensoren, Solarzellen, Halbleiterphotokathoden und die sog. Halbleiter- 5 strahlungsdetektoren zum Nachweis hochenergetischer elektro magnetischer und korpuskularer Strahlung.

Klappentext

Nachdem sich der Band ·Optoelektronik I" mit der Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung durch Strominjektion in speziel­ len Halbleiterbauelementen befaBt hat, beschaftigen sich die beiden Folgebande "Optoelektronik II und III" umgekehrt mit de Umwandlung elektromagnetischer Strahlung bzw. energetischer Teilchen in elektrische Energie mit Halbleiterbauelementen. Die allgemein als Strahlungsempfanger bzw. -detektoren bezeich neten Bauelemente finden hauptsachlich Anwendung - beim Nachweis bzw. bei der Messung von elektromagnetischer Strahlung oder von Teilchen. Bei diesen Anwendungen wird ein moglichst hohes Signal-Gerausch-Verhaltnis angestrebt, d. h. die Em~findlichkeit dieser Bauelemente muB groB sein und der Beitrag der detektorspezifischen Rauschmechanismen muB minimiert werden; - bei der Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie in Photoelementen und Solarzellen, wo­ bei Solarzellen vornehmlich wirtschaftlichkeitsaspekte be­ rucksichtigt werden mussen. Dieses setzt eine Billigtechno­ logie bei moglichst hohem Zellenwirkungsgrad voraus, wobei letztlich die Gesamtkosten des Systems die entscheidende Rolle spielen; bei der Umwandlungeines sichtbaren oder IR-Bildes in elek­ trische Signale mittels ein- oder zweidimensionaler Anord­ nungen. Bei dies en Anwendungen spielt die Integrationsfa­ higkeit des verwendeten Halbleitermaterials eine groBe Rolle Die als Strahlungsempfanger bzw. -detektoren in Frage kommen­ den Halbleiterbauelemente sind Photodioden, Avalanchephotodi­ oden, Phototransistoren, Photoleiter, Halbleiterbildsensoren, Solarzellen, Halbleiterphotokathoden und die sog. Halbleiter- 5 strahlungsdetektoren zum Nachweis hochenergetischer elektro­ magnetischer und korpuskularer Strahlung.

Inhalt
1 Einführung und Überblick.- 1.1 Entwicklungsgeschichte der Strahlungsempfänger.- 1.2 Überblick über die verschiedenen Funktionsprinzipien von Strahlungs- und Teilchendetektoren.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Empfindlichkeitscharakteristiken, Nachweisgrenzen und Betriebsarten von Strahlungsempfängern.- 2.1 Der Quantenwirkungsgrad.- 2.2 Die Empfindlichkeit (Responsivity).- 2.3 Das Nachweisvermögen.- 2.4 Vergleich der Strahlungsdetektoren hinsichtlich Nachweisvermögen.- 2.5 Betriebsarten von Strahlungsdetektoren.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Sperrschichtphotodetektoren.- 3.1 pn- und pin-Photodioden.- 3.2 Schottky-Photodioden.- 3.3 Phototransistoren.- 3.4 Avalanchephotodioden.- 3.5 Sperrschichtphotodetektoren mit HeteroStruktur.- 3.6 Ausführungsformen von Sperrschichtphotodetektoren.- Literatur zu Kapitel 3.- 4 Photoleiter.- 4.1 Intrinsische Photoleiter.- 4.2 Extrinsische Photoleiter.- 4.3 Intraband-Photoleiter.- Literatur zu Kapitel 4.- 5 Integrierte Detektorschaltungen.- 5.1 Überblick.- 5.2 Detektorelemente für den sichtbaren Spektralbereich.- 5.3 Detektorfelder.- 5.4 Organisationsformen und Ausleseverfahren.- 5.5 Bildsensoren für Farbkameras.- 5.6 IR-Detektorschaltungen.- Literatur zu Kapitel 5.