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Flächentransistoren
Georg Rusche , Karl Wagner , Fritz Weitzsch

Die immer starker werdende praktische Ausnutzung naturwissen schaftlicher Entdeckungen hat dazu gefiihrt, daB der Weg von der Natu... Weiterlesen
Kartonierter Einband (Kt), 416 Seiten  Weitere Informationen
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Beschreibung

Die immer starker werdende praktische Ausnutzung naturwissen schaftlicher Entdeckungen hat dazu gefiihrt, daB der Weg von der Naturforschung zur Technik kiirzer geworden ist und daB eine viel groBere Zahl von Physikern, Chemikern und Ingenieuren an diesem Wege teilhat, als es etwa vor wenigen Jahrzehnten noch der Fall war. Dies trifft. in hohem MaBe fiir die Entwicklung des neuen Verstarkerelementes "Transistor" zu, angefangen von grundlegenden Versuchen an halb leitenden Kristallen und der Entdeckung des Transistorprinzips bis zu den heute serienmaBig gefertigten Flachentransistoren. In fast allen Gebieten der Elektronik wird der Transistor in steigendem MaBe verwendet. In Verbindung damit sind in relativ kurzer Zeit iiber seine Theorie und Anwendung wertvolle Beitrage in groBer Zahl erschienen. Andererseits fehlte u. E. bisher in der deutschsprachigen Literatur eine methodische Behandlung der Probleme, die bei der Verwendung von Transistoren in der Praxis auftreten. Mit dem vorliegenden Buch soli versucht werden, diese Liicke zu schlieBen. Wir haben uns bemiiht, sorgfaltig jenes Material auszuwahlen und zusammenzustellen, das uns fiir die Einfiihrung in die Schaltungs technik des Transistors unerlaBlich oder zumindest wichtig erscheint.

Autorentext
Karl Wagner, geboren 1941 in Szamocin (Posen), Msgr. Mag. Nach Aufgaben in der Pfarrseelsorge und Schule, war er 30 Jahre in der Trauer- und Friedhofspastoral tätig und Leiter des Referates für den Einsegnungsdienst in der Erzdiözese Wien.

Klappentext

Die immer starker werdende praktische Ausnutzung naturwissen­ schaftlicher Entdeckungen hat dazu gefiihrt, daB der Weg von der Naturforschung zur Technik kiirzer geworden ist und daB eine viel groBere Zahl von Physikern, Chemikern und Ingenieuren an diesem Wege teilhat, als es etwa vor wenigen Jahrzehnten noch der Fall war. Dies trifft. in hohem MaBe fiir die Entwicklung des neuen Verstarkerelementes "Transistor" zu, angefangen von grundlegenden Versuchen an halb­ leitenden Kristallen und der Entdeckung des Transistorprinzips bis zu den heute serienmaBig gefertigten Flachentransistoren. In fast allen Gebieten der Elektronik wird der Transistor in steigendem MaBe verwendet. In Verbindung damit sind in relativ kurzer Zeit iiber seine Theorie und Anwendung wertvolle Beitrage in groBer Zahl erschienen. Andererseits fehlte u. E. bisher in der deutschsprachigen Literatur eine methodische Behandlung der Probleme, die bei der Verwendung von Transistoren in der Praxis auftreten. Mit dem vorliegenden Buch soli versucht werden, diese Liicke zu schlieBen. Wir haben uns bemiiht, sorgfaltig jenes Material auszuwahlen und zusammenzustellen, das uns fiir die Einfiihrung in die Schaltungs­ technik des Transistors unerlaBlich oder zumindest wichtig erscheint.



Inhalt

I. Einleitung.- II. Physikalische Grundlagen.- 1. Elektrische Leitungsvorgänge im Halbleiterkristall.- Eigenleitung.- Störstellenleitung.- 2. Mchtgleiehgewichtszustände.- Kontinuität.- Feld- und Diffusionsstrom.- Poissonsche Gleichung.- 3. p-n-Übergang.- Doppelschicht.- Randwertaufgabe für die Dichten.- Stationäre Lösung für eine Diode.- 4. Wirkungsweise des Transistors.- III. Eigenschaften des Transistors.- A. Statische Eigenschaften.- 1. Grundgleichungen, Ersatzschaltbild und Betriebsbereiche.- 2. Aktiver Bereich.- 3. Sperrbereich.- 4. Übersteuerungsbereich.- B. Einige besondere physikalische Effekte.- 1. Verhalten bei hohen Stromdichten.- 2. Lawineneffekte, Durchbruchspannung.- 3. Emitterflußpotential.- 4. EABLY-Effekt, Sperrschichtberührung.- C. Dynamische Eigenschaften.- 1. Ersatzschaltbild für kleine sinusförmige Signale.- a) Betrieb bei niedrigen Frequenzen.- Bedeutung des Eably-Effektes.- Einfluß des Basisbahnwiderstandes.- b) Betrieb bei hohen Frequenzen.- 2. Vierpoldarstellungen.- Betriebsformeln bei gegebenem Generator und gegebener Last.- 3. Ersatzschaltbild für Schalteranwendungen.- D. Strom- und Spannungsabhängigkeit der Kennwerte.- E. Temperaturabhängigkeit der Kennwerte.- F. Thermisch-elektrische Wechselwirkungen.- 1. Sperrschichttemperatur, Wärmewiderstand und Verlustleistung.- Stationärer Fall.- Instationäre Fälle.- 2. Wanderung des Arbeitspunktes und thermische Instabilität.- Arbeitspunktverschiebungen.- Thermische Instabilität.- G. Bauschen.- IV. Schaltungstechnik.- A. Allgemeine Überlegungen.- B. Einstellung des Arbeitspunktes.- 1. Einfluß der Transistorkennwerte.- 2. Stabilisierungsschaltungen mit konstanten Widerständen.- a) Unstabilisierte Schaltung.- b) Stabilisierungsschaltung mit einem Widerstand zwischen Kollektor und Basis.- c) Schaltung mit Hilfsbatterie im Basiskreis.- d) Schaltung mit Gegenkopplung durch einen Widerstand in der Emitterzuleitung.- e) Stabilisierung durch gemischte Gegenkopplung.- f) Gemeinsame Stabilisierung mehrerer Transistorstufen.- 3. Stabilisierungsschaltungen mit temperaturabhängigen und nichtlinearen Widerständen.- a) Stabilisierung mit temperaturabhängigen Widerständen.- b) Stabilisierung mit nichtlinearen Widerständen.- C. Niederfrequenzverstärker.- 1. Verstärker für kleine Signale.- a) Wahl der Grundschaltung.- b) Verstärkerschaltungen.- RC-Kopplung.- Transformatorkopplung.- c) Verzerrungen.- d) Gegenkopplung.- 2. Verstärker für große Signale.- a) Klasse A-Betrieb.- b) Gegentakt-Klasse B-Betrieb.- D. Hochfrequenzverstärker.- 1. Neutralisierte Verstärker.- a) Kopplung mit Einzelkreisen.- b) Kopplung mit Bandfiltern.- 2. Verstärker mit Rückwirkung.- a) Schwingsicherheit einer Transistorstufe.- b) Veränderungen der Durchlaßkurve.- c) Verstärkung.- 3. Mischstufen.- a) Mischstufen mit fremdem Oszillator.- b) Selbstschwingende Mischstufen.- Selbstschwingende Mischstufe für den Mittelwellenbereich.- Selbstschwingende Mischstufe für Kurzwellen.- Selbstschwingende Mischstufe für 100 MHz.- 4. Verhalten bei großen Signalen.- a) Verstärkungsregelung und Kreuzmodulation.- b) Störerscheinungen bei großen Kollektorwechselspannungen.- E. Impuls- und Schalterbetrieb.- 1. Statische Einstellung und Stabilisierung des Arbeitspunktes.- a) Übersteuerungsbereich.- b) Sperrbereich.- c) Durchbruchsgebiet.- 2. Schaltverhalten des Transistors.- a) Widerstandslast.- Zeitkonstanten im aktiven Bereich.- Emitterschaltung.- Kollektorschaltung.- b) Kapazitive Last.- Emitterschaltung.- Kollektorschaltung.- c) Induktive Last.- Erreichen des Durchbruchsgebietes.- Schaltungen zur Spannungsbegrenzung.- 3. Belastungsfragen.- 4. Schaltungsbeispiele.- a) Impulsverstärker.- Statische Einstellung.- Dynamisches Schaltverhalten.- Spezielle Impulsverstärkerschaltungen.- b) Bistabiler Multivibrator.- Statische Einstellung.- Dynamisches Schaltverhalten.- A. 1 Formelzeichen, Definitionen und Schreibweisen.- A. 2 Einige Vierpolgleichungen und ihre Transformationen.- A. 3 Herleitung einiger Gleichungen für den inneren Transistor.- A. 4 Sperrschichtkapazität und Sperrschichtdicke.- A. 5 Herleitung von Formeln für den Schalterbetrieb bei Widerstandslast.- A. 6 Ersatzwerte für die Sperrschichtkapazitäten.- A. 7 Kenndatenübersicht eines HF-Schalt-Transistors.

Produktinformationen

Titel: Flächentransistoren
Untertitel: Eigenschaften und Schaltungstechnik
Autor: Georg Rusche Karl Wagner Fritz Weitzsch
EAN: 9783642928239
ISBN: 978-3-642-92823-9
Format: Kartonierter Einband (Kt)
Herausgeber: Springer Berlin Heidelberg
Genre: Astronomie
Anzahl Seiten: 416
Gewicht: 626g
Größe: H235mm x B155mm x T22mm
Jahr: 2012
Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 1961

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