Willkommen, schön sind Sie da!
Logo Ex Libris

Protonendotierung von Silizium

  • E-Book (pdf)
  • 314 Seiten
(0) Erste Bewertung abgegeben
Bewertungen
(0)
(0)
(0)
(0)
(0)
Alle Bewertungen ansehen
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich wenige... Weiterlesen
E-Books ganz einfach mit der kostenlosen Ex Libris-Reader-App lesen. Hier erhalten Sie Ihren Download-Link.
CHF 56.90
Download steht sofort bereit
Informationen zu E-Books
E-Books eignen sich auch für mobile Geräte (sehen Sie dazu die Anleitungen).
E-Books von Ex Libris sind mit Adobe DRM kopiergeschützt: Erfahren Sie mehr.
Weitere Informationen finden Sie hier.
Information zu Vorbestellern
Bitte beachten Sie bei Vorbesteller, dass das Release-Datum nicht garantiert ist. Das E-Book kann früher oder später erscheinen. Sobald das E-Book erscheint, erhalten Sie im Verlaufe des Tages eine E-Mail mit dem Download-Link.

Beschreibung

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.

Autorentext
Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.

Inhalt

Einleitung .- Grundlagen der Protonendotierung.- Durchführung und Charakterisierungsmethoden.- Ladungsträgerpröle und Parameterabhängigkeiten.- Strahlungsinduzierte Störstellen.- Modellierung.- Zusammenfassung und Ausblick.- Anhang.

Produktinformationen

Titel: Protonendotierung von Silizium
Untertitel: Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
Autor:
EAN: 9783658073909
ISBN: 978-3-658-07390-9
Digitaler Kopierschutz: Adobe-DRM
Format: E-Book (pdf)
Herausgeber: Springer Vieweg
Genre: Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
Anzahl Seiten: 314
Veröffentlichung: 07.10.2014
Jahr: 2014
Dateigrösse: 3.1 MB

Bewertungen

Gesamtübersicht

Meine Bewertung

Bewerten Sie diesen Artikel