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Halbleiterprobleme

  • Kartonierter Einband
  • 292 Seiten
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Beschreibung

Inhalt

Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.

Produktinformationen

Titel: Halbleiterprobleme
Untertitel: In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
Editor:
EAN: 9783662161111
ISBN: 978-3-662-16111-1
Format: Kartonierter Einband
Herausgeber: Springer Berlin Heidelberg
Genre: Atom- & Kernphysik
Anzahl Seiten: 292
Gewicht: 508g
Größe: H244mm x B170mm x T15mm
Jahr: 2014
Auflage: 1956