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Untersuchung von bistabilen Schaltelementen auf Basis von Cu(TCNQ)

  • Kartonierter Einband
  • 109 Seiten
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Die Notwendigkeit, Informationen abzulegen und zu gegebener Zeit abzurufen, hat eine lange Geschichte. Die älteste lateinische In... Weiterlesen
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Beschreibung

Klappentext

Die Notwendigkeit, Informationen abzulegen und zu gegebener Zeit abzurufen, hat eine lange Geschichte. Die älteste lateinische Inschrift, die auf einem beschrifteten Stein im Forum Romanum gefunden wurde, wird auf das frühe 6. Jh. v. Chr. datiert. Neben Stein oder Bronze, die für Gedenkinschriften und Verordnungen verwendet wurden, dienten hölzerne Tafeln mit einer Wachsschicht dem Aufzeichnen von persönlichen Notizen oder Schularbeiten. In weiche Wachstafeln wurden Symbole mit einem Stift (Griffel) eingeritzt. Durch das Glattziehen der obersten Schicht konnten die eingeritzten Symbole entfernt und die Wachstafel wieder beschrieben werden [1].
Allgemein kann die Wachstafel als ein Lese- und Schreibmedium betrachtet werden. Diese Klassifizierung der Speichermedien hat nichts an ihrer Aktualität verloren. Heutzutage wird zwischen RAM-Speichern (random access memory), die Lese- und Schreibzugriffe ermöglichen, und ROM-Speichern (read only memory), die nur Lesezugriff erlauben, unterschieden. Diese werden unterteilt in elektronisch auslesbare Speicher (z.B. HDD-Festplattenspeicher) und Datenträger (z.B. Printmedien, Photographie). Im folgenden Abschnitt werden elektronisch auslesbare Speicher vorgestellt. Die RAM-Speichermedien lassen sich weiter unterteilen in statische RAM-Speicher (SRAM) und dynamische RAM-Speicher (DRAM). Bei einem SRAM-Speicher wird die Speicherfunktion durch eine Flipflop-Schaltung realisiert. Bei einem DRAM-Speicher wird die Information als eine Ladungsmenge auf einem Kondensator gespeichert. Die Anzahl der Lese- und Schreibzugriffe bei einem statischen oder dynamischen RAM unterliegt keinen Einschränkungen. Bei diesen RAM-Speicherfamilien handelt es sich um flüchtige Speicher, d.h. der Verlust der Versorgungsspannung führt zum Datenverlust. Im Gegensatz zu dieser RAM-Speicherfamilie behalten die elektrisch programmierbaren EPROM- (erasable programmable ROM), EEPROM- (electrically erasable programmable ROM) und Flash-EPROM-Speicher (basierend auf NAND- oder NOR-Gattern) ihre Daten auch ohne eine Spannungsversorgung.

Produktinformationen

Titel: Untersuchung von bistabilen Schaltelementen auf Basis von Cu(TCNQ)
Autor:
EAN: 9783954044603
ISBN: 978-3-95404-460-3
Format: Kartonierter Einband
Herausgeber: Cuvillier Verlag
Genre: Sonstiges
Anzahl Seiten: 109
Gewicht: 186g
Größe: H212mm x B147mm x T17mm
Veröffentlichung: 01.11.2015
Jahr: 2015