Silicium- und Germaniumnetzwerke unter Druck

Die Synthese neuer Verbindungen in der Festkörperchemie wird oftmals nur durch die Variation der Zusammensetzung und der Temperatur erzielt. Der Parameter Druck wird dabei, geschuldet dem hohen apparativen Aufwand, häufig vernachlässigt. So ist es nicht verwunderlich, dass nur eine unzureichende Kenntnis über das Verhalten von Elementen und binären Verbindungen unter Druck vorhanden ist. Der Autor der vorliegenden Arbeit erweitert zum einen das Spektrum metastabiler Modifikationen des Germaniums durch die Synthese und in-situ Charakterisierung von Ge(hR8) unter Druck und trägt dabei zu einem tieferen Verständnis der Zusammenhänge zwischen metastabilen Modifikationen des Germaniums bei. Zum anderen wird durch die gezielte Anwendung von Druck und Temperatur die Synthese einer Vielzahl neuer Silicium und Germaniumnetzwerke mit bisher nicht beobachteten hohen Koordinationszahlen im Netzwerk erreicht. Deren Charakterisierungen legen die Grundlage für ein grundlegenderes Verständnis der Zusammenhänge der Strukturentwicklung von Silicium- und Germaniumnetzwerken binärer Verbindungen als Funktion des Druckes.

Autorentext

Dr. rer. nat.; 1998 bis 2004 Studium der Chemie an der Universität Hamburg (Grundstudium) und an der TU Dresden (Hauptstudium) mit dem Schwerpunkt Festkörperchemie; 2004 bis 2009 Promotion am Max-Planck-Institut für Chemische Physik fester Stoffe im Bereich der Chemischen Metallkunde in Dresden.